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混載MRAMの書き換えエネルギーを72％削減、ルネサス（EE Times Japan） – Yahoo!ニュース

sampei 2021年12月22日 17:46

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IoT（モノのインターネット）向けマイコンの混載MRAMに同技術を適用することで低消費電力化を狙う。なお、今回ルネサスが発表したのはMRAMそのものでは …

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　ルネサスエレクトロニクス（以下、ルネサス）は、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）を省エネルギーかつ短い電圧印加時間で書き換えられる技術を開発した。2021年12

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